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RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅DRIE系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進行高縱橫比處理（超過100）和低扇形處理，同時保持高蝕刻率和選擇性。

RIE-802BCT深硅刻蝕設備是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個反應室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標準配置有空氣盒和晶圓邊緣保護環(huán)，以及高精度的晶圓對準器。該高性能系統(tǒng)能夠進行高長寬比加工（超過100）和低扇形加工，同時保持高蝕刻率和抗蝕劑選擇率。

PD-100ST是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)等離子體增強CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術和液態(tài)TEOS源，以低應力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。PD-100ST具有時尚、緊湊的設計，只需要小的潔凈室空間。

PD-330STC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等離子體增強CVD系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術和液態(tài)TEOS源，以低應力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。該系統(tǒng)通過采用大氣盒裝載和ø300毫米晶圓的優(yōu)良工藝均勻性，實現(xiàn)了高產(chǎn)量。

PD-270STLC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等離子體增強CVD系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術和液態(tài)TEOS源，以低應力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。該系統(tǒng)通過采用大氣盒裝載和ø236毫米的托架實現(xiàn)了高產(chǎn)量，可安裝三個ø4英寸的晶圓。

PD-200STL是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(300nm/min)等離子體增強型CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術和液態(tài)TEOS源，以低應力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100μm）。PD-200STL具有時尚、緊湊的設計，只需要小的潔凈室空間。