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1.手動、半自動、全自動有掩膜光刻機(jī) 2.高分辨率掩模對準(zhǔn)光刻，特征尺寸優(yōu)于0.5微米 3.基片尺寸可滿足4、6、8、12英寸 4.經(jīng)過特殊設(shè)計(jì)，方便處理各種非標(biāo)準(zhǔn)基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族材料，包括砷化鎵和磷化銦 5.設(shè)備可通過選配升級套件，實(shí)現(xiàn)紫外納米壓印光刻

無掩膜/激光直寫光刻機(jī) 參數(shù)：1. 光源：375 nm、385 nm、405 nm 激光器 2. 線寬：0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm3. 光刻效率：可達(dá)到3000mm2/min@5μm4. XY行程：55~205mm5. 樣品尺寸：最小3mm*3mm 最大8 inch6.應(yīng)用領(lǐng)域：生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光學(xué)元件、*進(jìn)芯片封裝、光通訊。

電子束光刻系統(tǒng) 技術(shù)參數(shù)： 1.最小線寬≤8nm 光柵周期≤40nm 2.50KV加速電壓下，寫場可在0.5μm~500μm的范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào) 3.肖特基熱場發(fā)射電子束源，最高加速電壓≥50kv，束電流范圍至少為50pA~40nA，最大束電流≥40nA

納米壓印系統(tǒng) 簡介：1. 兼容基底尺寸：直徑≤100mm2. 支持基底材料：硅片、玻璃、石英、塑料、金屬等3. 納米壓印技術(shù)：旋涂膠基底高精度壓印&點(diǎn)膠自動找平壓印、旋涂膠基底壓印、點(diǎn)膠自動找平壓印模式4. 壓印精度：優(yōu)于10nm5. 結(jié)構(gòu)深寬比：優(yōu)于10：1

等離子清洗&去膠機(jī) 產(chǎn)品簡介： 1) 用途：材料清洗、材料活化、材料刻蝕、材料涂覆 (2) 80 kHz：功率 1000 或 3000 W (3) 13.56 MHz：功率 0 - 300 W；0 - 600 W；0 - 1000 W (4) Hz：功率 0 - 1200 W (5) 所有發(fā)生器均為 0 - 100% 無級可調(diào)型 (6) 圓形不銹鋼，帶鉸鏈的門（約 φ400 mm，

iTops PVD AlN 濺射系統(tǒng)，采用托盤形式，可兼容 2/4/6 英寸,工藝溫度在 0~700℃之間。