1 產(chǎn)品概述:

Load-lock式Plasma CVD設(shè)備是一種集等離子體發(fā)生、薄膜沉積和Load-lock技術(shù)于一體的先進(jìn)設(shè)備。它通常包括反應(yīng)室、等離子體發(fā)生器、真空系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)以及Load-lock腔室等關(guān)鍵部件。在設(shè)備運(yùn)行過程中，通過Load-lock腔室實(shí)現(xiàn)樣品在真空環(huán)境和外界環(huán)境之間的快速切換，減少外界污染對樣品的影響，同時(shí)提高生產(chǎn)效率。

2 設(shè)備用途：

Load-lock式Plasma CVD設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、材料科學(xué)、光學(xué)薄膜制備、太陽能電池生產(chǎn)等多個(gè)領(lǐng)域。其主要用途包括：

1. 薄膜沉積：利用等離子體中的高能粒子促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，在基底表面沉積高質(zhì)量的薄膜材料，如氧化物、氮化物、碳化物等。

2. 材料改性：通過等離子體處理改善材料的表面性能，如提高附著力、降低摩擦系數(shù)、增加耐腐蝕性等。

3. 多層膜制備：結(jié)合其他工藝，如光刻、刻蝕等，制備具有復(fù)雜結(jié)構(gòu)和功能的多層膜材料。

3 設(shè)備特點(diǎn)

  高效性：等離子體中的高能粒子能顯著加速化學(xué)反應(yīng)，提高薄膜的沉積速率和生產(chǎn)效率。

  高質(zhì)量：通過精確控制等離子體參數(shù)和工藝條件，可以制備出高質(zhì)量、高純度的薄膜材料。

  靈活性：適用于多種材料的薄膜制備，且可通過調(diào)整工藝參數(shù)實(shí)現(xiàn)薄膜性質(zhì)的精確調(diào)控。

  環(huán)保性：相比傳統(tǒng)化學(xué)沉積方法，等離子CVD設(shè)備在制備過程中不需要使用有害的化學(xué)試劑，減少了環(huán)境污染。

  Load-lock技術(shù)：采用Load-lock腔室設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了樣品在真空環(huán)境和外界環(huán)境之間的快速切換，減少了外界污染對樣品的影響，同時(shí)提高了生產(chǎn)效率。
4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn)：

•27.12MHz高密度等離子制程

•SiH4系：SiO2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS系：可對應(yīng)SiO2膜

•以CF4+O2 Plasma實(shí)現(xiàn)腔體清潔功能

•可對應(yīng)有機(jī)EL（OLED）的低溫成膜用heater

•使用Tray可搬送多種基板尺寸

•通過使用真空Box實(shí)現(xiàn)C系列的間接連續(xù)制程（Sputter: CS-200, Evaporation: CV-200）