1 產(chǎn)品概述:

    等離子CVD設(shè)備主要由反應(yīng)室、氣體供應(yīng)系統(tǒng)、控制系統(tǒng)和加熱系統(tǒng)組成。在設(shè)備中，通過(guò)引入特定氣體并施加能量（如微波、射頻等）激發(fā)產(chǎn)生等離子體，等離子體中的高能粒子（如電子、離子）與氣體分子發(fā)生碰撞，促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行，從而在基底表面沉積形成所需的薄膜材料。

2 設(shè)備用途：

  薄膜生成：等離子體可以加速化學(xué)反應(yīng)，提高薄膜的生成速度和質(zhì)量，適用于多種材料（如金剛石、氧化物等）的薄膜制備。

  薄膜刻蝕：利用等離子體對(duì)薄膜表面進(jìn)行刻蝕，去除雜質(zhì)和損傷層，提高薄膜的性能。

  薄膜摻雜：通過(guò)等離子體在薄膜中摻雜特定雜質(zhì)，改變薄膜的電學(xué)、光學(xué)等性質(zhì)。

  基片處理：包括基片的刻蝕、灰化以及表面處理等，以改善基片的表面質(zhì)量和后續(xù)薄膜的附著性。

3 設(shè)備特點(diǎn)

  高效性：等離子體中的高能粒子能顯著加速化學(xué)反應(yīng)，提高薄膜的生成效率。

  高質(zhì)量：通過(guò)精確控制反應(yīng)條件和等離子體參數(shù)，可以制備出高質(zhì)量、高純度的薄膜材料。

  靈活性：適用于多種材料的薄膜制備，且可通過(guò)調(diào)整工藝參數(shù)實(shí)現(xiàn)薄膜性質(zhì)的精確調(diào)控。

  環(huán)保性：相比傳統(tǒng)制備方法，等離子CVD設(shè)備在制備過(guò)程中產(chǎn)生的廢棄物較少，有利于環(huán)境保護(hù)。
4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn)：

枚葉式等離子CVD設(shè)備CMD系列

CMD系列是用SiH4和TEOS成膜的a-Si膜、氧化硅膜、氮化膜成膜用的枚葉式CVD設(shè)備。

和傳統(tǒng)的工藝溫度相比，每個(gè)unit的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)可以在更高的溫度下運(yùn)行、開(kāi)發(fā)真空搬送機(jī)械手來(lái)實(shí)現(xiàn)搬送系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

通過(guò)改善反應(yīng)室的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、氣體供給系統(tǒng)，達(dá)到長(zhǎng)期穩(wěn)定的TEOS(SiO2)膜速率。

通過(guò)加熱反應(yīng)氣體的通道，在排除設(shè)備中的氣體排出、抑制配管Trap未使用時(shí)的配管副生成物的粘附、可以縮短保養(yǎng)時(shí)間。

可以輕松的完成單獨(dú)基板管理，如成膜條件。