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1.是高潔凈度的沖洗旋干設(shè)備。主要系應(yīng)用于硅晶圓、掩模板、太陽能電池等材料的高潔凈度沖洗旋干。設(shè)備具有單工作室、雙工作室兩種結(jié)構(gòu)。 2.產(chǎn)品類型：有立式單腔，雙腔晶圓甩干機(jī)(2-12寸)，水平多工位甩干機(jī)(2-12寸) 3.單次甩干數(shù)量1-25塊 4.作業(yè)程序：沖洗、烘干的步驟順序、時(shí)間、 轉(zhuǎn)速等可分段編輯，（可設(shè) recipe 為 10 個(gè)）

分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE 是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束，從爐中噴出后，沉積在高溫的單晶基片上。如果設(shè)置幾個(gè)噴射爐，就可以制取多元半導(dǎo)體混晶，又可以同時(shí)進(jìn)行摻雜?？梢跃_地控制結(jié)晶生長，進(jìn)行沉積系統(tǒng)中結(jié)晶生長過程的研究。

MOCVD設(shè)備是通過將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式，經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室，進(jìn)行熱分解反應(yīng)而生長出薄膜材料。應(yīng)用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。

提供深硅蝕刻（DSiE）領(lǐng)域的MEMS，封裝和納米技術(shù)的廣泛應(yīng)用，從光滑側(cè)壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實(shí)現(xiàn)。

離子束刻蝕系統(tǒng)IBE 的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項(xiàng)，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統(tǒng)配置與實(shí)際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào)，以確保獲得速率更快且重復(fù)性更好的工藝結(jié)果。

在噴涂法中，噴嘴將要涂抹的溶液噴在晶圓上。經(jīng)過優(yōu)化后的晶圓上方噴嘴移動(dòng)路徑可以實(shí)現(xiàn)在襯底上均勻的涂層。 噴涂所用的液體通常粘度極低，以確保形成細(xì)小的液滴