1.  產(chǎn)品概述：

激光尖峰退火設(shè)備利用高能激光束對半導(dǎo)體晶圓進行快速加熱和冷卻處理，以達到激活雜質(zhì)離子、修復(fù)晶格損傷和改善材料性能的目的。該設(shè)備結(jié)合了激光技術(shù)、精密控制技術(shù)和熱處理工藝，能夠在短的時間內(nèi)對晶圓進行精確的溫度控制，實現(xiàn)高效的退火處理。

2.  設(shè)備用途/原理：

   1. 半導(dǎo)體制造：在半導(dǎo)體制造過程中，為了形成特定的摻雜結(jié)構(gòu)和提高器件性能，需要對晶圓進行多次離子注入。然而，離子注入過程中會造成晶格損傷，影響雜質(zhì)離子的電活性。激光尖峰退火設(shè)備能夠迅速加熱晶圓，修復(fù)晶格損傷，并激活雜質(zhì)離子，從而恢復(fù)晶圓的電學(xué)性能。

   2. 高k金屬柵結(jié)活化：在高k金屬柵CMOS工藝中，激光尖峰退火設(shè)備可用于激活金屬柵與半導(dǎo)體界面處的雜質(zhì)離子，提高柵性能，降低漏電流。

   3. 鎳硅化物形成：在鎳硅化物的形成過程中，激光尖峰退火設(shè)備能夠快速加熱晶圓，促進鎳與硅的反應(yīng)，形成高質(zhì)量的鎳硅化物層，提高器件的導(dǎo)電性能。

3.  設(shè)備特點

激光尖峰退火設(shè)備具有以下幾個顯著特點：

1. 瞬時溫度高：激光束能夠在短的時間內(nèi)將晶圓加熱到高溫狀態(tài)，實現(xiàn)快速退火處理。這種高溫作用能夠迅速修復(fù)晶格損傷并激活雜質(zhì)離子。

2. 作用時間短：由于激光束的加熱作用非常迅速，因此整個退火過程可以在短的時間內(nèi)完成。這有助于減少熱預(yù)算并提高生產(chǎn)效率。

3. 熱預(yù)算低：由于作用時間短且加熱均勻性好，激光尖峰退火設(shè)備能夠降低晶圓在退火過程中的熱預(yù)算。這有助于減少晶圓因長時間高溫加熱而產(chǎn)生的熱應(yīng)力和形變。

4. 可選區(qū)加工：激光尖峰退火設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)晶圓上的可選區(qū)加工。通過精確控制激光束的照射位置和形狀，可以對晶圓上的特定區(qū)域進行退火處理，而不影響其他區(qū)域。這種靈活性使得激光尖峰退火設(shè)備在復(fù)雜結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件制造中具有廣泛的應(yīng)用景。

5. 高精度控制：激光尖峰退火設(shè)備采用先進的控制系統(tǒng)和精密的機械結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)對激光束的精確控制和定位。這有助于確保退火處理的精度和一致性，提高器件的性能和可靠性。

綜上所述，激光尖峰退火設(shè)備在半導(dǎo)體制造域具有重要的作用和廣泛的應(yīng)用景。隨著科技的不斷發(fā)展和進步，激光尖峰退火設(shè)備的技術(shù)水平和性能也將不斷提高和完善。

4  特色參數(shù)：

產(chǎn)地：美國

節(jié)點：40nm到140nm

平臺：Unity Platform

系統(tǒng)類型：雙梁

技術(shù)：雙光束

精度：亞毫

溫度：高達1350°C

加工方式：低溫

安裝：DM和鑄造廠