1 產品概述：

      快速退火爐，又稱RTP（Rapid Thermal Processing）快速熱處理爐，是一種用于快速熱處理、熱氧化處理、高溫退火等工藝的設備。它利用鹵素紅外燈等高效熱源，通過快的升溫速率（可達150攝氏度/）和精確的溫控系統，將晶圓或材料快速加熱到所需溫度（高可達1200攝氏度），并在短時間內完成退火過程，從而消除材料內部缺陷，改善產品性能。快速退火爐廣泛應用于半導體、LED、MEMS、化合物半導體和功率器件等多種芯片產品的生產中，是現代微電子制造域重要設備。

2 設備用途：

1、快速熱處理（RTP）：用于對晶圓或材料進行快速加熱和冷卻處理，以改善晶體結構和光電性能。

2、快速退火（RTA）：通過快速升溫和降溫過程，消除材料內部的應力、缺陷和雜質，提高材料的性能。

3 、熱氧化處理（RTO）：在特定氣氛下對材料進行加熱處理，形成所需的氧化物層。

4、離子注入/接觸退火：在離子注入后對材料進行退火處理，以激活注入的離子并改善材料的電學性能。

5、 金屬合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制備過程中，通過快速退火促進合金化反應。

6、 化合物合金制備：如砷化鎵、氮化物等化合物的合金制備過程中，快速退火爐也發(fā)揮著重要作用生。同時，加熱還可以促進化學反應的進行，提高處理效果。

3. 設備特點

  1 高效加熱與快速升降溫：采用鹵素紅外燈等高效熱源，升溫速率快，高可達150攝氏度/；降溫速率也快，如從1000攝氏度降到300攝氏度僅需幾分鐘。

  2 高精度溫控系統：采用先進的微電腦控制系統和PID閉環(huán)控制溫度，控溫精度可達±0.5攝氏度，溫控均勻性≤0.5%設定溫度。

  3 多功能性與靈活性：可根據用戶工藝需求配置真空腔體、多路氣體等，滿足不同工藝條件的需求。

  4 低污染與環(huán)保：試樣反應區(qū)處在一個密閉的石英腔體內，大大降低了間接污染試樣的可能性；同時，設備在設計和制造過程中注重環(huán)保理念，減少了對環(huán)境的污染。

  5 操作簡便與自動化：配備可視化觸摸屏和智能控制系統，設定數據和操作都是圖文界面，操作方便；同時，可實現單臺或多臺電爐的遠程控制、實時追蹤、歷史記錄、輸出報表等功能。

4  設備參數：

• 適用于大 100 毫米（4 英寸）的單晶圓

• 由石英玻璃制成的工藝室

• 帶集成氣體入口和出口

• 包括一條帶氮氣質量流量控制器的過程氣體管路（5 nlm = 標準升/分鐘）

• h由頂部和底部紅外加熱，每個加熱帶 9 個燈和 14 kW

• 頂部和底部加熱

• 外部泵系統的真空度（高 10E-6      hPa，高 10E-3 hPa：參見 RTP-100），
     包括渦輪分子泵、真空測量、閘閥和壓力表;不包括粗泵

• SPS 過程控制器，帶 50 個程序，每個程序多 50 個步驟（以太網接口），SIMATIC

• 7 英寸觸摸屏，便于編程和過程控制

• 高氣溫 1200 °C

• 通過熱電偶進行溫度控制

• 需要水冷

• 電氣連接類型：2 x 32 A CEE      插頭（3x 230 V，3 相，N，PE，18 kW）

• 烤箱尺寸：504 x 521 x      576 毫米（寬 x 深 x 高）

• 重量： 68 kg