1. 產(chǎn)品概述

該ICPCVD工藝模塊專門設計用于在相對較低的生長溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜，其核心技術(shù)是采用高密度遠程等離子體來實現(xiàn)。這種設計不僅使得薄膜的成核和生長過程更加可控，還有效地提高了薄膜的物理和化學性能。

通過高密度等離子體的使用，利用源自等離子體中的活性物質(zhì)和離子，能夠促進化學反應的發(fā)生，使得薄膜在較低的溫度環(huán)境中仍能實現(xiàn)優(yōu)質(zhì)的沉積。這意味著在沉積過程中，能夠有效地避免基板因過高溫度而出現(xiàn)的熱損傷，從而保護基材的結(jié)構(gòu)與性能，確保最終產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

此外，該工藝模塊為材料的多樣性和應用廣度提供了可能，適用于多種類型的薄膜沉積，包括但不限于硅基材料、氮化物、氧化物等。這使其在半導體、光電及微機電系統(tǒng) (MEMS) 等行業(yè)中具有廣泛的應用前景。

2. 特色參數(shù)

更好的均勻性、高產(chǎn)量以及高精度的工藝

高質(zhì)量薄膜

電的適用溫度范圍寬

兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

快速更換不同尺寸晶圓

購置成本低且易于維護

緊密的設計，布局靈活

電阻絲加熱電，高溫度可達400°C或1200°C

實時監(jiān)測清洗工藝， 并且可自動停止工藝