一、產(chǎn)品簡介：

CIF推出RIE反應離子刻蝕機，采用RIE反應離子誘導激發(fā)方式，實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學，科研院所、微電子、半導體企業(yè)實驗室進行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。適用于所有的基材及復雜的幾何構(gòu)形進行RIE反應離子刻蝕。具體包括：

1.介電材料（SiO2、SiNx等）

2.硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

3.III-V材料（GaAs、InP、GaN等）

4.濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W等）

5.類金剛石（DLC）      

二、RIE反應離子刻蝕機 產(chǎn)品特點

1.7寸彩色觸摸屏互動操作界面，圖形化用戶操作界面顯示，自動監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài)，20個配方程序，可存儲、輸出、追溯工藝數(shù)據(jù)，機器運行、停止提示。

2. PLC工控機控制整個清洗過程，手動、自動兩種工作模式。

3. 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì)，耐腐蝕無污染。

4. 采用防腐數(shù)字流量計，實現(xiàn)對氣體輸入精準控制。標配雙路氣體輸送系統(tǒng)，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，氣體分配均勻?？奢斎胙鯕?、氬氣、氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

5. 采用花灑式多孔進氣方式，改變傳統(tǒng)等離子清洗機單孔進氣不均勻問題。

6. HEPA高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。

7. 符合人體功能學的60度傾角操作界面設(shè)計，操作方便，界面友好。

8. 采用頂置真空倉，上開蓋設(shè)計，下壓式鉸鏈開關(guān)方式。

9. 上置式360度水平取放樣品設(shè)計，符合人體功能學，操作更方便。

10. 有效處理面積大，可處理最大直徑200mm晶元硅片。

11. 安全保護，倉門打開，自動關(guān)閉電源。

三、技術(shù)參數(shù)