當前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導體前道工藝設備 > 1 光刻設備 > UV Litho-ACA無掩膜/激光直寫光刻機
簡要描述:無掩膜/激光直寫光刻機 參數(shù):1. 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器2. 線寬:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm3. 光刻效率:可達到3000mm2/min@5μm4. XY行程:55~205mm5. 樣品尺寸:最小3mm*3mm 最大8 inch6.應用領域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光學元件、*進芯片封裝、光通訊。
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1.產(chǎn)品概述:
利用紫外光源對紫外敏感的光刻膠進行空間 選擇性的曝光,進而將設計好電路版圖轉移到 硅片上形成集成電路,這一工藝就是紫外光刻 技術。光刻機的分辨率和套刻精度直接決定了 所制造的集成電路的集成度,也成為了評價光 刻設備品質的關鍵指標。激光直寫設備具備很 高的靈活性,且可以達到較高的精度,但由于 是逐行掃描,曝光效率較低。托托科技的無掩 模版光刻設備基于空間光調(diào)制器(DMD/DLP) 的技術,實現(xiàn)了高速、高精度、高靈活性的紫外光刻。
2.產(chǎn)品參數(shù):
光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器
線寬:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm
光刻效率:可達到3000mm2/min@5μm
XY行程:55~205mm
樣品尺寸:最小3mm*3mm 最大8 inch
應用領域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光學元件、*進芯片封裝、光通訊芯片光刻
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