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半導體激光退火機是用于半導體制造過程中的一種設備。退火是一種熱處理過程，通過加熱半導體材料來改變其性質，以實現(xiàn)所需的特性，如電導率、晶體結構和應力緩解。半導體激光退火機利用高能激光束來對半導體基片進行精確和控制的加熱和修改。

快速退火爐RTP主要功能：快速熱退火，快速熱氧化，快速熱氮化，擴散，化合物半導體退火，離子注入后退火，電極合金化等。樣片尺寸：8inch，向下兼容，支持不規(guī)整樣品退火。退火溫度范圍：室溫~1200 ℃。4. 室溫到1000度，最快升溫速率120 ℃/second。

離子注入機是高壓小型加速器中的一種，應用數(shù)量最多。它是由離子源得到所需要的離子，經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還用于金屬材料表面改性和制膜等。

電鍍設備 應用領域：Pillar，Bump，RDL，TSV等工藝 (3) 設備配置： 最多3個loadport ; 最多24個電鍍腔體：Cu、Ni、Sn/Ag、Au ; 最多4個預濕腔體，4個清洗腔體 ; 水平式電鍍腔體，無交叉污染 ; 支持模塊化維護，提高設備正常運行時間