8英寸等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設(shè)備

1. 產(chǎn)品概述

Shale® A系列等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備（PECVD）是一款先進的薄膜沉積設(shè)備，旨在滿足半導體制造和相關(guān)領(lǐng)域?qū)τ诟哔|(zhì)量薄膜沉積的需求。該設(shè)備采用了平行電容板電場放電技術(shù)，有效地產(chǎn)生等離子體，這種等離子體環(huán)境使得各種薄膜材料的沉積過程更加高效和精準。

在操作溫度方面，Shale® A系列設(shè)備能夠在400°C及以下的條件下，實現(xiàn)較為致密且均勻的薄膜沉積。這一特性使其成為沉積多種材料的理想選擇，包括氧化硅、TEOS（四乙氧基硅烷）、BPSG（摻鋁的硅玻璃），以及氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳和非晶碳化硅等多種高性能薄膜材料。

此外，Shale® A系列設(shè)備在設(shè)計和制造過程中，充分考慮了國際市場的標準，采用了符合SEMI（美國半導體設(shè)備與材料國際協(xié)會）標準的通用零部件，確保設(shè)備在全球范圍內(nèi)的兼容性和可用性。同時，該設(shè)備經(jīng)過了一系列嚴格的穩(wěn)定性和可靠性測試，驗證其能夠在實際生產(chǎn)中保持優(yōu)異的性能表現(xiàn)，從而為用戶提供了一個可信賴的沉積解決方案。這使得Shale® A系列PECVD設(shè)備不僅適用于高技術(shù)要求的半導體行業(yè)，還能夠確保在各種應用場景中的穩(wěn)定運行。

2. 系統(tǒng)特性

可提供基于硅烷（SiH4）體系的薄膜沉積方案，還可選正硅酸乙酯（TEOS）體系的沉積方案

可提供雙頻設(shè)備，使氮化硅（SiNx）的應力可調(diào)，范圍從壓應力-1.6GPa到張應力+0.7GPa

可提供n/p型摻雜，滿足磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）等摻雜氧化硅工藝的需求

8/6英寸兼容