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12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)

簡要描述:Hesper E230A 12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng),優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計(jì)提供優(yōu)良的工藝性能。

  • 產(chǎn)品型號:Hesper E230A
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-09-05
  • 訪  問  量: 657

詳細(xì)介紹

1. 產(chǎn)品概述

Hesper E230A 12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng),優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計(jì)提供優(yōu)良的工藝性能。

2. 設(shè)備用途/原理

Hesper E230A 12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng),優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計(jì)提供優(yōu)良的工藝性能,高效傳輸設(shè)計(jì),可提高產(chǎn)能,單、雙、四腔兼容設(shè)計(jì),可滿足不同客戶需求。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

晶圓尺寸12 英適用材料 適用工藝 N&P 常壓硅外延,適用域 科研、集成電路百科:?常壓硅外延系統(tǒng)的原理?主要涉及到在單晶襯底上生長一層與襯底晶向相同的單晶層,這層新生長的單晶層可以在導(dǎo)電類型、電阻率等方面與襯底不同,從而生長出不同厚度和不同要求的多層單晶,以提高器件設(shè)計(jì)的靈活性和器件的性能。外延生長技術(shù)發(fā)展于20世紀(jì)50年代末60年代初,當(dāng)時(shí)為了制造高頻大功率器件,需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層,以滿足減小集電極串聯(lián)電阻、材料能耐高壓和大電流的要求。此外,外延工藝還廣泛用于集成電路中的PN結(jié)隔離技術(shù)和大規(guī)模集成電路中改善材料質(zhì)量方面。

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