當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 1 光刻設(shè)備 > MA12有掩膜光刻機
簡要描述:1.手動、半自動、全自動有掩膜光刻機2.高分辨率掩模對準(zhǔn)光刻,特征尺寸優(yōu)于0.5微米3.基片尺寸可滿足4、6、8、12英寸4.經(jīng)過特殊設(shè)計,方便處理各種非標(biāo)準(zhǔn)基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族材料,包括砷化鎵和磷化銦5.設(shè)備可通過選配升級套件,實現(xiàn)紫外納米壓印光刻
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1.產(chǎn)品概述:
MA12是專為對準(zhǔn)和曝光300毫米以下方形襯底和晶圓而設(shè)計的,適合于工業(yè)研究和生產(chǎn)。憑借靈活處理和過程控制解決方案,本設(shè)備主要用于先進封裝,包括3D圓晶級芯片尺寸封裝, 以及開發(fā)和生產(chǎn)敏感元件,如MEMS。。
2.產(chǎn)品優(yōu)點:
一個涵蓋微觀到納米壓印的工具
能夠可靠地處理彎曲晶圓片和敏感材料
高的光均勻性
強大的工藝控制
增強的SUSS調(diào)平系統(tǒng)
占地面積小,增強了人機工程學(xué)特性
3.產(chǎn)品工藝:
頂面對準(zhǔn):在光刻工藝中,只需對準(zhǔn)器件晶圓同側(cè)的結(jié)構(gòu)(例如再布線層、微凸點 等),用頂部對準(zhǔn)功能將掩模位置標(biāo)記對準(zhǔn)晶圓位置標(biāo)記。 根據(jù)襯底的特性,這可以用存儲的晶圓位置數(shù)據(jù)或者用兩個現(xiàn)場照片 、SUSS MicroTec 開發(fā)的DirectAlign™ 直接對準(zhǔn)技術(shù)實現(xiàn)。
背面對準(zhǔn):應(yīng)用微電子機械系統(tǒng)(MEMS)、圓晶級封裝和三維集成的工藝,例如在接板上制造垂直通孔 (TSV),需要與正面結(jié)構(gòu)對準(zhǔn)的晶圓背面結(jié)構(gòu)。 此時常使用光學(xué)背面對準(zhǔn)。 集成攝像機系統(tǒng)采集掩模結(jié)構(gòu)和晶片背面結(jié)構(gòu)并將它們相互對準(zhǔn)。 由于晶圓在裝載掩模靶后被覆蓋,必須預(yù)先確定并存儲其位置。 這對整個對準(zhǔn)系統(tǒng)提出了特殊的要求。
提高對準(zhǔn)精度:當(dāng)對套刻精度有較高要求時,大大提升標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的自動對準(zhǔn)功能。DirectAlign®,SüSS MicroTecs 圖像識別軟件附加功能,放棄圖片存儲系統(tǒng)中的結(jié)構(gòu)圖文件,取而代之的是訪問實況圖。結(jié)構(gòu)識別基于工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) PatMax 且取得了優(yōu)異成績。因此,在 SUSS 掩模對準(zhǔn)器上用 Direct Align® 進行頂面對準(zhǔn)時對準(zhǔn)精度可達到 0.5 微米。
晶圓和掩模輔助裝片:操作者輔助的系統(tǒng),與人工晶圓把持的優(yōu)勢相結(jié)合,保持了高度的工藝可控與可靠性。
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