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簡(jiǎn)要描述:1、Nikon S207D掃描式光刻機(jī)光源波長(zhǎng)248nm分辨率優(yōu)于0.11µm主要用于8寸及12寸生產(chǎn)線廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS、LED等領(lǐng)域2、產(chǎn)品詳情主要技術(shù)指標(biāo)分辨率0.11µmN.A.0.82曝光光源248nm倍率4:1最大曝光現(xiàn)場(chǎng)26mm*33mm對(duì)準(zhǔn)精度20nm
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Nikon S207D 掃描式光刻機(jī)是一款專為半導(dǎo)體制造設(shè)計(jì)的高性能設(shè)備,支持 200mm 晶圓的生產(chǎn)。該機(jī)型采用先進(jìn)的掃描光刻技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率和高精度的圖案轉(zhuǎn)移,適用于集成電路、微處理器和存儲(chǔ)器等電子元件的制造。憑借其快速的曝光速度和穩(wěn)定的性能,S207D 非常適合大批量生產(chǎn),同時(shí)用戶友好的操作界面和自動(dòng)化功能使得操作簡(jiǎn)單高效。這些特點(diǎn)使得 Nikon S207D 成為現(xiàn)代半導(dǎo)體制造過程中的重要工具,滿足行業(yè)對(duì)高質(zhì)量和高效率的需求。
該設(shè)備通過高強(qiáng)度光源將掩模上的圖案投影到涂有光刻膠的晶圓表面。工作過程中,光源發(fā)出特定波長(zhǎng)的光線,通過高分辨率光學(xué)系統(tǒng),精準(zhǔn)地掃描掩模并將圖案投影到晶圓上。曝光后,光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化,接著進(jìn)行顯影,去除未曝光或已曝光的光刻膠,形成所需的圖案。隨后,利用刻蝕工藝將圖案轉(zhuǎn)移到晶圓材料上,最后去除殘留的光刻膠。通過這一系列步驟,Nikon S207D 能夠高效地實(shí)現(xiàn)復(fù)雜圖形的精確轉(zhuǎn)移,滿足現(xiàn)代半導(dǎo)體制造的高標(biāo)準(zhǔn)需求。
分辨率 | 0.11µm |
N.A. | 0.82 |
曝光光源 | 248nm |
倍率 | 4:1 |
大曝光現(xiàn)場(chǎng) | 26mm*33mm |
對(duì)準(zhǔn)精度 | 20nm |
Nikon S207D掃描式光刻機(jī)
光源波長(zhǎng)248nm
分辨率優(yōu)于0.11µm
主要用于8寸及12寸生產(chǎn)線
廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS、LED等
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