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四探針電阻率測(cè)試儀的應(yīng)用：半導(dǎo)體材料、太陽(yáng)能電池材料(硅、多晶硅、碳化硅等)，新材料、功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、Ag納米線等)、導(dǎo)電薄膜(金屬、離子等)，擴(kuò)散層，硅相關(guān)外延材料，離子注入樣品。

冷熱沖擊試驗(yàn)箱 技術(shù)參數(shù)： 1. 溫度范圍：周圍環(huán)境溫度+50 +200℃ -70~0℃ 3溫區(qū) 2. 高溫曝露到+200℃：15分鐘以內(nèi) 3. 常溫曝露：5分鐘 4. 低溫曝露：-65℃15分鐘

高低溫(濕熱) 試驗(yàn)箱 產(chǎn)品概述： 1. 新型冷凍機(jī)的使用，實(shí)現(xiàn)了大范圍、高精度的溫濕度控制 2. 40 模式可編程控制器、具有多種語(yǔ)言選擇、試驗(yàn)數(shù)據(jù)U 盤存儲(chǔ) 3.故障追溯功能、試驗(yàn)箱發(fā)生故障之前的運(yùn)行狀態(tài)會(huì)被自動(dòng)記錄并保存

立式高溫試驗(yàn)箱簡(jiǎn)述：滿足各種產(chǎn)品、零部件及材料在高溫恒溫環(huán)境下貯存、運(yùn)輸、使用時(shí)間適應(yīng)性試驗(yàn)要求。采用定值和程序兩種控制。定值控制可進(jìn)行自動(dòng)開始結(jié)束設(shè)定，適合于生產(chǎn)線熱處理干燥處理。程序控制可進(jìn)行10個(gè)模式，每個(gè)模式20步的程序設(shè)定。滿足有溫度上升、下降斜率設(shè)定的溫度特性試驗(yàn)。

工業(yè)顯微鏡簡(jiǎn)介： 1. 支持通過(guò)光學(xué)顯微鏡或圖像測(cè)量?jī)x（如Nikon NEXIV），對(duì)直徑為6英寸（150mm）和8英寸（200mm）的半導(dǎo)體晶圓的創(chuàng)新設(shè)計(jì)和材料進(jìn)行檢測(cè)。 2. 半導(dǎo)體晶圓裝載機(jī)系列，能夠?qū)⒅睆綖?英寸（150mm）和8英寸（200mm）的晶圓轉(zhuǎn)移到厚度為100微米（工廠制造選項(xiàng)）的尼康Eclipse L200N和LV150N顯微鏡或NEXIV VMZ-S視頻測(cè)量?jī)x器上。

超景深顯微鏡概述：本套系統(tǒng)主要用于材料表面形貌的觀察；平面或三維測(cè)量?？刹捎?D觀測(cè)模式，對(duì)被測(cè)物形狀，粗糙度，表面積等進(jìn)行測(cè)量，可以做高度，寬度，橫截面，角度，R值，表面積，體積，線粗糙度，面粗糙度等的測(cè)量分析。同時(shí)可以做材料斷口、金相的觀測(cè),陶瓷，微流道，微加工，現(xiàn)代加工制造,MEMS研究，微納制造等。