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簡要描述:四探針電阻率測試儀的應(yīng)用:半導(dǎo)體材料、太陽能電池材料(硅、多晶硅、碳化硅等),新材料、功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、Ag納米線等)、導(dǎo)電薄膜(金屬、離子等),擴(kuò)散層,硅相關(guān)外延材料,離子注入樣品。
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四探針電阻率測試儀是一種精密測量工具,專用于評(píng)估各種材料的電阻率,尤其在半導(dǎo)體和材料科學(xué)領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用。該設(shè)備通過其特殊的四探針設(shè)計(jì),能夠提供高精度和快速的電阻率測量,適用于不同類型的固體材料。
四探針電阻率測試儀廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的研發(fā)、電子元件的性能測試以及新材料的電性能評(píng)估。它能夠幫助研究人員和工程師深入理解材料的導(dǎo)電特性,從而推動(dòng)新技術(shù)的開發(fā)和應(yīng)用。
該儀器的工作原理基于四個(gè)探針的布局,其中外側(cè)探針施加已知電流,內(nèi)側(cè)探針測量因電流通過材料而產(chǎn)生的電壓降。通過歐姆定律和幾何因素的計(jì)算,儀器能夠準(zhǔn)確得出材料的電阻率,減少接觸電阻帶來的誤差,從而提高測量的準(zhǔn)確性。
1. 應(yīng)用:半導(dǎo)體材料、太陽能電池材料(硅、多晶硅、碳化硅等),新材料、功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、Ag納米線等)、導(dǎo)電薄膜(金屬、離子等),擴(kuò)散層,硅相關(guān)外延材料,離子注入樣品
2. 樣品尺寸:基于所選擇的平臺(tái)而定,圓形樣品大支持300mm(12 inch),或方形大尺寸730x920mm
3. 測量范圍:
V/I 電阻: 1.0m - 3.0M Ω
方阻: 5.0m - 10.0M Ω/sq
電阻率: 1.0μ - 300.0k Ω.cm
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