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當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品中心  >  其他前道工藝設(shè)備  >  8 氧化設(shè)備、退火設(shè)備  >  THEORIS X302系列12英寸立式中高溫氧化爐

12英寸立式中高溫氧化爐

簡要描述:12英寸立式中高溫氧化爐THEORIS X302H主要用于12英寸1000℃-1200℃高溫和超高溫氧化和退火工藝。該機臺為立式單腔爐管系統(tǒng),工藝處理過程實現(xiàn)了高度自動化。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、電源柜等部分組成。THEORIS X302P主要用于12英寸600℃-1000℃氧化及退火工藝。該機臺為立式單腔爐管系統(tǒng),工藝處理過程實現(xiàn)了高度自動化系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、電源柜等部分組成。

  • 產(chǎn)品型號:THEORIS X302系列
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-09-04
  • 訪  問  量: 301

詳細(xì)介紹

1. 產(chǎn)品概述:

THEORIS X302主要用于12英寸600℃-1200℃氧化及退火工藝。該機臺為立式單腔爐管系統(tǒng),工藝處理過程實現(xiàn)了高度自動化。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、電源柜等部分組成。

2. 設(shè)備應(yīng)用

  晶圓尺寸

  12英寸

 

  適用材料

  硅

 

  適用工藝

  高溫干/濕氧氧化、DCE氧化、摻氮氧化、高溫退火

 

  適用領(lǐng)域

  先進集成電路、功率半導(dǎo)體、襯底材料

 

3. 特色參數(shù)

濕氧氧化工藝是在氧氣中加入水汽來進行氧化反應(yīng)。北方華創(chuàng) THEORIS X302 氧化爐設(shè)備在濕氧氧化工藝中表現(xiàn)出色。它能夠精確控制水汽的含量和輸入方式,以實現(xiàn)對氧化膜生長速率和質(zhì)量的精準(zhǔn)調(diào)控。在溫度控制上,同樣具備高精度的特點,確保在濕氧環(huán)境下硅片受熱均勻,從而形成均勻、致密的氧化膜。氣體流量的調(diào)節(jié)也非常精準(zhǔn),能夠根據(jù)工藝需求靈活調(diào)整氧氣和水汽的比例,滿足不同產(chǎn)品對濕氧氧化工藝的特殊要求。其優(yōu)秀的工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性,使得濕氧氧化工藝的結(jié)果可預(yù)測且可靠。

 

  4.設(shè)備特點

  先進的顆??刂萍夹g(shù)

  先進的金屬污染控制技術(shù)

  高精度溫度場控制技術(shù)

  支持快速升/降溫度技術(shù)

  高產(chǎn)能


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