1.產品概述：

以 B1506A 功率器件分析儀為例，它是完整的功率電路設計解決方案 125?？稍诓煌ぷ鳁l件下評測功率器件的眾多參數(shù)，如高達 3kV/1500A 的運行范圍，能進行 IV 參數(shù)（擊穿電壓和導通電阻）測量，具備在高壓偏置下的三端電容（如 Ciss、Coss、Crss 等）、柵極電荷（Qg）和功率損耗的測量功能，還支持 -50°C 至 +250°C 的全自動快速熱測試等。

2.設備應用：

研發(fā)領域：幫助工程師在功率半導體器件的設計階段，精確測量和分析器件的各種特性參數(shù)，如導通電阻、擊穿電壓、電容特性、柵極電荷等，為優(yōu)化設計提供數(shù)據(jù)支持，加速研發(fā)進程。

生產環(huán)節(jié)：用于對功率器件進行大規(guī)模的質量檢測和篩選，確保產品的性能和質量符合標準，提高生產效率和產品良率 5。

失效分析：當功率器件在使用過程中出現(xiàn)故障時，可通過該分析儀對器件進行詳細的測試和分析，找出失效的原因和部位，為改進和修復提供依據(jù) 5。例如在新能源汽車的 “三電系統(tǒng)" 中，對功率半導體的測試就非常關鍵。

 3.設備特點

在各種工作條件下都能執(zhí)行準確的測量

一體化解決方案可以表征高達 1500 A 和 10 kV 的功率器件可在高壓偏置下進行中檔電流測量（例如 1200 V 時為 500 mA）μΩ 導通電阻測量能力在高壓偏置下進行準確的皮安以下電流測量-50 ℃ 至 +250 ℃ 全自動熱測試

廣泛的器件評測功能

在高達 3000 V 直流偏置下進行全自動電容（Ciss、Coss、Crss 等）測量

短 10 μs 的大功率脈沖測量

封裝器件和晶圓上 IGBT/FET 柵電荷測量

用于表征 GaN 電流崩塌效應的高壓/大電流快速開關選件

多達五個高壓（3 kV）源表通道，大地提高靈活性

通過配有互鎖裝置的測試夾具進行安全的溫度相關測試

測量效率更高

無需重新連接線纜即可在高壓測量和大電流測量之間切換

自動形成測試電路，用于測試封裝器件和晶圓上器件的晶體管結電容（Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等）

標配配有互鎖裝置的測試夾具，用于安全地測試封裝功率器件

有支持和安全保障的晶圓上大功率測試，電流超過 200 A，電壓高達 10 kV

示波器視圖使您可以驗證所輸入的電壓和電流波形

在 MS Windows 環(huán)境中運行的 EasyEXPERT 軟件有助于改善數(shù)據(jù)管理和分析

可升和可擴展的硬件體系結構

多種測量模塊可供選擇

支持多達 6 個引腳的大功率器件